Интернациональная группа ученых Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» и японского Национального института квантовых наук и радиологии разработали материал, какой позволит существенно повысить плотность вносимой информации в устройствах хранения настоящих, таковских будто твердотельные диски и флеш-накопители. К преимуществам новоиспеченного материала также стоит отнести отсутствие лимита перезаписи, что позволит внедрить устройства из новоиспеченного материала в животрепещущую технологию Big Data.
Многообещающей альтернативой электронике изображает спинтроника, где управление переносом информации реализуется не всего с поддержкой заряда электронов, однако также и при помощи тока горбов – собственных моментов импульса электронов. В спинтронике устройства вкалывают на принципе магниторезистивного эффекта(магнитного сопротивления): водятся три пласта, начальный и третий из каких ферромагнитные, а посредственный – немагнитный. Идя сквозь таковскую структуру субъекта «сэндвич», электроны, в подвластности от их горб, по-разному рассеиваются в намагниченных краевых пластах, что действует на результирующее сопротивление устройства. Детектируя увеличение или же уменьшение настоящего сопротивления, можно ворочать информацией при помощи типовых логических битов, 0 и 1.
Для разработки материала, какой может существенно повысить ёмкость магнитной памяти, благодаря повышению плотности записи, ученые использовали комбинацию из графена и полуметаллического сплава Гейслера Co2FeGaGe(кобальт-железо-галлий-германий).
Особенность используемого в гетероструктуре сплава проявляется в стопроцентной спиновой поляризации на уровне Ферми, что изображает необходимым обстоятельством для использования его в спинтронных устройствах. В исследованной гетероструктуре графен не вступает в химическое взаимодействие с магнитным материалом, что позволяет сохранить его уникальные коротающие свойства.
Ранее в устройствах магнитной памяти не использовался графен: при попытках изготовления таковских слоистых материалов атомы углерода вступали в реакцию с магнитным пластом, что приводило к изменению его свойств. Благодаря скрупулезному подбору состава сплава Гейслера, а также методов его нанесения, удалось создать более филигранный лад, по сравнению с предшествующими аналогами. Это, в свою очередность, позволит существенно повысить емкость устройств магнитной памяти без увеличения их плотских размеров.
Вытекающие шаги ученых – масштабирование экспериментального манера и дальнейшая модификация структуры элемента.